| 发明名称 | 去除光刻胶和蚀刻残留物的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种用于等离子体灰化(120)的方法，用于去除在前面介电层(104)等离子体蚀刻期间形成的光刻胶残余(106)以及蚀刻剩余物(110)。该灰化方法使用包含含氢气体的两步等离子体处理，其中在第一清洁步骤(120)对基底施加低或零偏置，从而从基底去除大量的光刻胶残余(106)和蚀刻剩余物(110)，另外从腔室表面蚀刻和去除有害的氟碳剩余物。在第二清洁步骤(130)中对基底施加增加了的偏置，从而从基底上去除剩余的光刻胶(106)和蚀刻剩余物(110)。该两步处理减少了在传统一步灰化处理中常观察到的记忆效应。可以使用终点检测方法来监控灰化处理。 | ||
| 申请公布号 | CN100388429C | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN03811241.8 | 申请日期 | 2003.01.17 |
| 申请人 | 东京电子株式会社 | 发明人 | 维迪雅纳坦·巴拉苏布拉马尼亚姆;萩原正明;西村荣一;稻泽高一郎;畑村安则 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01) | 主分类号 | H01L21/302(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王萍 |
| 主权项 | 1.一种原位灰化方法，包括：引入包含有含氢气体的处理气体；在等离子体处理室中产生等离子体；使基底向等离子体暴露，该基底放置在基底支撑物的顶部；通过对基底支撑物施加第一偏置功率来执行第一灰化步骤；以及通过对基底支撑物施加第二偏置功率来执行第二灰化步骤，该第二偏置功率大于该第一偏置功率。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||