| 发明名称 | 形成半导体结构的方法以及半导体结构 | ||
| 摘要 | 一种在半导体衬底中蚀刻深沟槽的方法，所述方法包括以下步骤：(a)在所述半导体衬底的顶部上形成硬掩膜层，(b)在所述硬掩膜层中蚀刻硬掩膜开口，以使所述半导体衬底通过所述硬掩膜层开口暴露于空气中，其中所述蚀刻所述硬掩膜开口的步骤包括蚀刻所述硬掩膜开口的底部部分的步骤，以使所述硬掩膜开口的所述底部部分的侧壁基本上垂直，以及(c)通过所述硬掩膜开口在所述衬底中蚀刻深沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN100388435C | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200510112744.3 | 申请日期 | 2005.10.12 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | S·M·尚克;J·A·特拉帕索;Y·L·尼诺米亚;J·马林;J·克莱因;D·丹格;B·W·波思;M·D·拉格奎斯特 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括以下步骤：(a)形成第一组多个深沟槽，其中形成所述第一组多个深沟槽的各沟槽包括以下步骤：(i)制备半导体衬底，(ii)在所述半导体衬底的顶部上形成硬掩膜层，(iii)在所述硬掩膜层中蚀刻硬掩膜开口，以使所述半导体衬底通过所述硬掩膜层开口暴露于空气中，其中所述蚀刻所述硬掩膜开口的步骤包括根据第一组蚀刻参数蚀刻所述硬掩膜开口的底部部分的步骤，以使所述硬掩膜开口的所述底部部分的侧壁基本上垂直，以及所述硬掩膜开口的所述底部部分具有大于所述硬掩膜开口的顶部部分的横向宽度，(iv)通过所述硬掩膜开口在所述衬底中蚀刻深沟槽；以及(b)如果所述第一组多个深沟槽的第一合格率不在目标合格率的预定范围内，形成第二组多个深沟槽，其中除了根据第二组蚀刻参数进行蚀刻所述硬掩膜开口的所述底部部分的步骤，通过利用步骤(a)(i)至(a)(iv)形成所述第二组多个深沟槽的各沟槽，其中根据所述第一组蚀刻参数调整所述第二组蚀刻参数，以使对于所述第二组多个深沟槽的各沟槽，所述硬掩膜开口的所述底部部分的侧壁比与所述第一组多个深沟槽的沟槽相对应的侧壁更垂直。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||