动态调整记忆体芯片操作的方法与量测其ONO层厚度的装置

摘要

本发明是有关于一种动态调整记忆体芯片操作的方法与量测其ONO层厚度的装置。该动态调整记忆体芯片操作的方法，先提供一记忆体芯片，其中记忆体芯片包括一ONO层。然后，量测记忆体芯片的ONO层的厚度，再依据ONO层的厚度，调整记忆体芯片的读取电压。由于动态调整记忆体芯片操作，故可获得较可靠的产品操作以及较为充裕的大量生产空间。

主权项

1.一种动态调整记忆体芯片操作的方法，其特征包括：提供一记忆体芯片，该记忆体芯片包括一ONO层；利用一感测放大器电性检验该ONO层的厚度，以量测出该记忆体芯片的该ONO层的厚度；当该ONO层的厚度超过一参考厚度时，调整该记忆体芯片的读取电压为大于一标准读取电压；以及当该ONO层的厚度未达该参考厚度时，调整该记忆体芯片的读取电压为小于该标准读取电压；其中该记忆体芯片具有一标准编程电压、一标准抹除电压以及该标准读取电压，且该标准读取电压是介于该标准编程电压以及该标准抹除电压之间。