高压应力薄膜与应变硅金属氧化物半导体晶体管及其制法

摘要

一种制作应变硅金属氧化物半导体晶体管的方法。首先提供半导体基底，并在该半导体基底上形成栅极、至少一个侧壁子和源极/漏极区域。然后通入前驱物(precursor)，使该前驱物与硅甲烷(silane)以及氨气(ammonia)反应，以直接形成高压应力薄膜(high compressive stress film)于该栅极与该源极/漏极区域表面，此技术可应用于多晶硅应力层(poly stressor)、接触洞蚀刻停止层(CESL)以及双接触洞蚀刻停止层(dual CESL)等制造工艺中。

主权项

1.一种制作应变硅金属氧化物半导体晶体管的方法，该方法包括下列步骤：提供半导体基底；形成栅极、至少一个侧壁子和源极/漏极区域在该半导体基底上；通入前驱物；以及通入硅甲烷和氨气，使该前驱物与该硅甲烷及该氨气反应，以形成高压应力薄膜覆盖于该栅极与该源极/漏极区域表面。