发明名称 Magnettransistorstruktur
摘要 Ein Magnettransistor beinhaltet einen ersten magnetischen Bereich, eine zweiten magnetischen Bereich, einen leitfähigen Bereich, eine erste Metallendstelle und eine zweite Metallendstelle. Der leitfähige Bereich ist zwischen und in direktem Kontakt zu sowohl dem ersten als auch dem zweiten magnetischen Bereich angeordnet. Die erste Metallendstelle ist auf einem Ende einer dem leitfähigen Bereich des ersten magnetischen Bereichs gegenüberliegenden Fläche angeordnet. Die zweite Metallendstelle ist auf einem Ende ungefähr diagonal zu einer ersten Metallendstelle auf einer dem leitfähigen Bereich des zweiten magnetischen Bereichs gegenüberliegenden Fläche angeordnet. Während die Magnettransistorstruktur angeschaltet ist, fließt ein Strom über den leitfähigen Bereich durch den ersten magnetischen Bereich und den zweiten magnetischen Bereich.
申请公布号 DE102007032379(A1) 申请公布日期 2008.04.10
申请号 DE200710032379 申请日期 2007.07.11
申请人 NORTHERN LIGHTS SEMICONDUCTOR CORP. 发明人 LAI, JAMES CHYI;AGAN, TOM ALLEN
分类号 H01L43/08 主分类号 H01L43/08
代理机构 代理人
主权项
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