发明名称 | 非易失性存储器 | ||
摘要 | 本发明目的是检测、通知、和存储半导体存储器中的异常区域,以极大地改进可靠性。存储卡所拥有的半导体存储器内部包含用户区、替换区、区域替换信息存储区、和管理区。半导体存储器的内部包含用户区、替换区、和管理区。用户区为用户可以使用的数据区。当在用户区中发生错误时替换区被替换。区域替换信息存储区存储区域替换区信息。管理区存储替换信息。信息处理部分在如下两种水平上执行替换。当在半导体存储器区域检测到指示错误征兆的操作时,信息处理部分在存储卡的空闲状态过程中执行区域替换。当在区域中检测到错误操作时,信息处理部分立即执行区域替换。 | ||
申请公布号 | CN100380529C | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
申请号 | CN200410001543.1 | 申请日期 | 2004.01.13 |
申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 涩谷洋文;原郁夫;后藤启之;盐田茂雅 |
分类号 | G11C29/00(2006.01) | 主分类号 | G11C29/00(2006.01) |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
主权项 | 1.一种存储设备,该设备包含一个或更多半导体存储器和一个信息处理部分,该信息处理部分基于操作程序读取存储在所述一个或更多半导体存储器中的数据,并指示预定处理和操作以写入数据,其中该信息处理部分检测半导体存储器中一个区域的状态,当该区域被认为处于临界状态时,在导致存储设备中无操作的空闲状态期间替换该区域,并当认为该区域为极限状态时立即替换该区域。 | ||
地址 | 日本东京 |