发明名称 |
包含升压电路的电子器件 |
摘要 |
提供了一种包含升压电路的电子器件,升压电路的电路规模扩大被最小化并且即使在低电源电压的情况时效率也很高。提供了与升压单元中的用于对电荷转移NMOS晶体管的栅极端充放电的NMOS晶体管并联的NMOS晶体管,其漏极和栅极与输入端连接且其源极与该电荷转移NMOS晶体管的栅极端连接。 |
申请公布号 |
CN101159412A |
申请公布日期 |
2008.04.09 |
申请号 |
CN200710162276.X |
申请日期 |
2007.10.08 |
申请人 |
精工电子有限公司 |
发明人 |
宇都宫文靖 |
分类号 |
H02M3/07(2006.01);G11C16/06(2006.01);G11C16/30(2006.01) |
主分类号 |
H02M3/07(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
张雪梅;刘宗杰 |
主权项 |
1.一种电子器件,包括升压电路,在该升压电路中多个升压单元串联连接,其中每个升压单元为电荷泵型,其中每个升压单元包括:升压单元输入端;升压单元输出端;升压时钟输入端;用于电荷转移的第一NMOS晶体管,其源极与升压单元输入端连接,且其漏极与升压单元输出端连接;用于升压的第一电容器,其第一电极与第一NMOS晶体管的漏极连接,且其第二电极与升压时钟输入端连接;栅极时钟信号输入端,用于增加第一NMOS晶体管的栅极处的电位;第二电容器,其第一电极与第一NMOS晶体管的栅极连接,且其第二电极与栅极时钟信号输入端连接;第二NMOS晶体管,其漏极与升压单元输入端连接,其源极与第一NMOS晶体管的栅极连接,并且其栅极与升压单元输出端连接;以及第三NMOS晶体管,其漏极和栅极与升压单元输入端连接,且其源极与第一NMOS晶体管的栅极连接。 |
地址 |
日本千叶县千叶市 |