| 发明名称 | 浅沟隔离槽侧壁离子注入工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种浅沟隔离槽侧壁离子注入工艺，可加深浅沟隔离槽两侧结的深度，从而避免结泄漏电流的增大而导致器件的性能变坏。该方法是通过以下步骤实现的：(1)进行浅沟隔离槽刻蚀；(2)进行垫层氧化层的生长；在所述步骤(2)之前或之后在浅沟隔离槽侧墙的位置进行离子注入。 | ||
| 申请公布号 | CN101159246A | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN200610116899.9 | 申请日期 | 2006.10.08 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 钱文生;陈晓波 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01);H01L21/265(2006.01) | 主分类号 | H01L21/76(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1.一种浅沟隔离槽侧壁离子注入工艺，包括步骤：(1)进行浅沟隔离槽刻蚀；(2)进行垫层氧化层的生长；其特征在于，在所述步骤(2)之前或之后还包括以下步骤：在浅沟隔离槽侧墙的位置进行离子注入。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||