| 发明名称 | 透射电子显微镜样品的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种透射电子显微镜样品的制备方法，包括下列步骤：提供包含两个凹坑的样品，所述两个凹坑之间是失效区域，其中失效区域包含半导体器件；切削失效区域第一表面至露出半导体器件截面；对失效区域第一表面进行腐蚀；清洗样品；切削失效区域第二表面至失效区域厚度小于130nm。经过上述步骤，能制备高分辨率的透射电子显微镜样品，可将轻掺杂漏极、源极/漏极与硅衬底清楚的区分开，并且能清楚分辨轻掺杂漏极、源极/漏极的形貌特征及缺陷情况，同时还能将失效区域的掺硼和磷的二氧化硅(BPSG)和非掺杂的二氧化硅很好的区分开来。 | ||
| 申请公布号 | CN101153833A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200610116910.1 | 申请日期 | 2006.09.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 胡建强;芮志贤;赵燕丽;王燕君;李明;潘敏 |
| 分类号 | G01N1/32(2006.01);G01N13/10(2006.01) | 主分类号 | G01N1/32(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种透射电子显微镜样品的制备方法，包括下列步骤：提供包含两个凹坑的样品，所述两个凹坑之间是失效区域，其中失效区域包含半导体器件；切削失效区域第一表面至露出半导体器件截面；对失效区域第一表面进行腐蚀；清洗样品；切削失效区域第二表面至失效区域厚度小于130nm。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||