制造异质双极型晶体管的方法和异质双极型晶体管

摘要

给出了一种异质双极型晶体管、尤其是在 GaAs 基极上的制造方法及其优势性的构造，它允许低成本地制造出长期稳定的元件。

主权项

1.一种制造异质双极型晶体管的方法，所述异质双极型晶体管具有一个由多个层构成的台形结构的发射极和一个相对于该台形结构从侧面上伸出的凸缘，所述方法包括：a)在基极层上沉积第一发射极层，该第一发射极层由一个层列的整面沉积的半导体层组成；b)使用阻挡层遮盖所述第一发射极层，所述阻挡层具有可侵蚀性；c)沉积多个金属接点层；d)在所述金属接点层上沉积至少一个介电遮盖层，所述至少一个介电遮盖层造型为第一掩模，以产生所述发射极台形结构；e)通过对所述阻挡层使用对材料有选择性的侵蚀工艺将所述介电遮盖层进行侧向侵蚀，从而形成多个金属发射极接点；f)沉积至少一个钝化层；g)使用第二掩模来对所述至少一个钝化层进行造型；h)侵蚀凸缘，其中所述至少一个钝化层形成第三掩模，并且其中所述侵蚀是借助一种各向同性侵蚀方法将所述凸缘侵蚀至所述基极层，其中所述介电遮盖层与所述至少一个钝化层一起形成掩模以定义凸缘区域，并且其中所述介电遮盖层被造型于所述多个金属发射极接点上。