| 摘要 |
用于判定一半导体结构内的少数载子扩散长度的方法、装置及系统被揭露，该半导体结构可以是一太阳电池或一未处理或部分处理的矽样本。发光可包含光致发光、电致发光、或者以上二者。发光在该结构中被刺激，且短波长发光及长波长发光之强度被量测。发光强度可利用一个单一的光侦测器、一FPA、一CCD阵列或一映射工具从该样本之任何一面撷取。在该结构中被刺激的发光可以短截止波长及长截止波长被滤波。该结构之扩散长度利用一预定理论关系产生。该产生步骤可包含自发光强度计算强度比率，且利用该预定理论关系将该等强度比率转换为扩散长度。 |
