| 发明名称 | 含硅芴共轭聚合物及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及含硅芴共聚物的制备及其应用，所述共聚物由单体2，7－硅芴和窄带隙单体共聚物组成，共聚物的吸收光谱吸收边大于500纳米。其制备方法是将2，7－硅芴单体与含氮和/或硫杂原子的窄带隙单体进行共聚，将其吸收带边推向红光及近红外区。本发明提供的含硅芴聚合物可用于制备聚合物太阳能电池，场效应管等领域。其迁移率高，长期稳定性好，能量转化效率高。 | ||
| 申请公布号 | CN101148495A | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200710028956.2 | 申请日期 | 2007.07.02 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 曹镛;王二刚;王藜 |
| 分类号 | C08G61/12(2006.01);H01L31/0216(2006.01) | 主分类号 | C08G61/12(2006.01) |
| 代理机构 | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人 | 何淑珍 |
| 主权项 | 1.一种含硅芴共轭聚合物，其特征在于具有以下结构；其中R1、R2为相同或不同的C1-C20的烷基、烷氧基、烷氧苯基或苯基；R3、R4为相同或不同的H，C1-C20的烷基、烷氧基、烷氧苯基、苯基；Ar是指含有硫和/或氮杂原子的杂环化合物；曲线部分表示硅芴单元与Ar的连接方式为单键，双键，三键或非共轭单元。X∶Y＝25-65∶35-75摩尔；n＝1，2，3，…… | ||
| 地址 | 510640广东省广州市天河区五山路381号 | ||