制造半导体器件的方法

摘要

提供一种能够抑制NiSi层转变为二硅化物的制造半导体器件的方法。在P-MOS晶体管和N-MOS晶体管二者中的栅极电极和源极/漏极区上形成NiSi层，硅化物层形成步骤。在包括NiSi层的整个区域上形成直接氮化物层，氮化物层形成步骤。然后将能够增加NiSi层的耐热温度的元素注入到NiSi层中，元素注入步骤。结果，能够增加NiSi层的耐热特性，并且由此能够抑制NiSi层转变为二硅化物。

主权项

1.一种制造具有MOS晶体管的半导体器件的方法，其中所述MOS晶体管包括PMOS晶体管和NMOS晶体管，包括：硅化物层形成步骤，在所述MOS晶体管的栅极电极和源极/漏极区中的至少一个上形成NiSi层；元素注入步骤，将抑制所述NiSi层转变为二硅化物的抑制元素注入到所述NiSi层中；以及氮化物层形成步骤，在所述NiSi层上形成层间氮化物膜，其中所述元素注入步骤包括通过所述层间氮化物膜注入所述元素，使得所述元素到达所述NiSi层。