| 发明名称 | 显示装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种显示装置的制造方法，对于每个基板按顺序进行第一工序、第二工序及第三工序，该制造方法的特征在于具有：在上述第三工序中，将在上述第二工序中照射在后续于上述基板的其他基板(7)的激光(11)的能量密度，(1)在该基板的区域A测定的晶体粒径比在该基板的区域B测定的晶体粒径大时，调整得比照射该基板的上述激光(11)的能量密度低；(2)在粒径小时，调整得比照射该基板的上述激光(11)的能量密度高；(3)在相同时，保持成照射该基板的上述激光(11)的能量密度。 | ||
| 申请公布号 | CN100375231C | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200410058669.2 | 申请日期 | 2004.07.27 |
| 申请人 | 株式会社日立显示器 | 发明人 | 山口裕功;尾形洁;田村太久夫;后藤顺;斋藤雅和;武田一男 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/324(2006.01);G02F1/136(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 许海兰 |
| 主权项 | 1.一种显示装置的制造方法，对于每个基板按顺序进行在上述基板(7)的整个面上形成非晶质半导体膜(71)的第一工序、用激光(11)照射上述非晶质半导体膜(71)使其变成多晶膜(72)的第二工序、以及在设置于多晶膜(72)面内的多个测定点(A，B1-B4，C1-C20)处测定该多晶膜的晶体粒径的第三工序，该制造方法的特征在于具有：在上述第三工序中，将上述测定点分别设置在位于上述基板的中央的区域A、位于上述基板的角的区域B、以及位于该区域A的周边且隔开该区域A和该区域B的区域C，而且，(1)在该基板的区域A测定的晶体粒径比在该基板的区域B测定的晶体粒径大时，将在上述第二工序中照射在后续于上述基板的其他基板(7)的激光(11)的能量密度调整得比照射该基板的上述激光(11)的能量密度低；(2)在该基板的区域A测定的晶体粒径比在该基板的区域B测定的晶体粒径小时，将在上述第二工序中照射在后续于上述基板的其他基板(7)的激光(11)的能量密度调整得比照射该基板的上述激光(11)的能量密度高；(3)在该基板的区域A测定的晶体粒径与在该基板的区域B测定的晶体粒径相同时，将在上述第二工序中照射在后续于上述基板的其他基板(7)的激光(11)的能量密度保持成照射该基板的上述激光(11)的能量密度。 | ||
| 地址 | 日本千叶县 | ||