发明名称 |
一种砷化镓PIN二极管及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种GaAs PIN二极管,该GaAs PIN二极管包括:用于支撑整个GaAs PIN二极管的半绝缘GaAs衬底;在半绝缘GaAs衬底上外延生长的高掺杂N<SUP>+</SUP>层,在高掺杂N<SUP>+</SUP>层上依次外延生长的接近本征的高阻I层和P<SUP>+</SUP>层;通过采用湿法刻蚀,所述高掺杂N<SUP>+</SUP>层、高阻I层和P<SUP>+</SUP>层的面积依次减小形成台面结构;在P<SUP>+</SUP>层上蒸发金属形成的圆形结构上电极;在N<SUP>+</SUP>层上蒸发金属形成的半环形结构下电极。本发明同时公开了一种GaAsPIN二极管的制作方法。利用本发明,不增加工艺难度的前提下有效降低了PIN二极管的寄生电容,同时,连接上电极的微带线大大缩短,由其引入的寄生电感可以大幅减小,甚至可以忽略,无需使用空气桥工艺,制作简便,能够获得更好的高频特性,且易于实现单片集成。 |
申请公布号 |
CN101140955A |
申请公布日期 |
2008.03.12 |
申请号 |
CN200610112885.X |
申请日期 |
2006.09.06 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
杨浩;张海英;吴茹菲 |
分类号 |
H01L29/868(2006.01);H01L21/329(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/868(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
1.一种砷化镓GaAs PIN二极管,其特征在于,该GaAs PIN二极管包括:用于支撑整个GaAs PIN二极管的半绝缘GaAs衬底;在半绝缘GaAs衬底上外延生长的高掺杂N+层,在高掺杂N+层上依次外延生长的接近本征的高阻I层和P+层;通过采用湿法刻蚀,所述高掺杂P+层、高阻I层和N+层的高度依次降低形成台面结构;在P+层上蒸发金属形成的圆形结构上电极;在N+层上蒸发金属形成的半环形结构下电极。 |
地址 |
100029北京市朝阳区北土城西路3号 |