半导体装置及半导体装置之制造方法

摘要

本发明之半导体装置系具备：基板；成膜于前述基板上之由加氟碳膜所构成的绝缘膜；埋入于前述绝缘膜之铜配线；及形成在前述绝缘膜与前述铜配线之间的阻障膜。前述阻障膜系具有：用以抑制氟扩散之由钛所构成的第1膜；及形成在前述第1膜与前述铜配线之间，并用以抑制铜扩散之由钽所构成的第2膜。