发明名称 |
具有保护电路的半导体器件 |
摘要 |
本发明揭示一种具有保护半导体集成电路免受静电放电击穿用的保护电路的半导体器件。其中,所述保护电路具有检测所述静电放电的检测电路、根据所述检测电路的输出产生触发信号的触发电路、具有发射极连接所述半导体器件的第1端子的PNP晶体管和发射极连接所述半导体的第2端子又在集电极连接所述PNP晶体管的基极的NPN晶体管并且由来自所述触发电路的触发信号启动的闸流管部、以及连接在所述PNP晶体管与所述NPN晶体管之间并且根据所述检测电路的输出进行控制的开关元件。 |
申请公布号 |
CN100372114C |
申请公布日期 |
2008.02.27 |
申请号 |
CN200410085864.4 |
申请日期 |
2004.11.05 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
本庄敦;平冈孝之 |
分类号 |
H01L23/58(2006.01);H01L23/60(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/58(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
沈昭坤 |
主权项 |
1.一种半导体器件,具有保护半导体集成电路免受静电放电击穿用的保护电路,其特征在于,所述保护电路,包括连接在所述半导体器件的第1端子和第2端子之间的、检测所述静电放电的检测电路,根据所述检测电路的输出、产生触发信号的触发电路,具有发射极连接所述半导体器件的第1端子的PNP晶体管和发射极连接所述半导体器件的第2端子又在集电极连接所述PNP晶体管的基极的NPN晶体管并且由来自所述触发电路的触发信号启动的闸流管部,以及连接在所述PNP晶体管的集电极与所述NPN晶体管的基极之间并且根据所述检测电路的输出进行控制的开关元件。 |
地址 |
日本东京 |