| 发明名称 | 氮化镓基发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种垂直GaN基LED，包括n－电极；在该n－电极下形成的n－型GaN层，该n－型GaN层具有不规则表面结构，该不规则表面结构包括具有以均匀间隔形成的不规则结构的第一不规则表面结构和具有以不均匀间隔形成的不规则结构的第二不规则表面结构，该第二不规则表面结构形成于该第一不规则表面结构之上；在该n－型GaN层下形成的有源层；在该有源层下形成的p－型GaN层；在该p－型GaN层下形成的p－电极；以及在该p－电极下形成的结构支持层。 | ||
| 申请公布号 | CN101127382A | 申请公布日期 | 2008.02.20 |
| 申请号 | CN200710105256.9 | 申请日期 | 2007.05.28 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 崔锡范;吴邦元;禹钟均;白斗高 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲;李丙林 |
| 主权项 | 1.一种垂直GaN基LED，包括：n-电极；在所述n-电极下形成的n-型GaN层，所述n-型GaN层具有不规则表面结构，所述不规则表面结构包括具有以均匀间隔形成的不规则结构的第一不规则表面结构和具有以不均匀间隔形成的不规则结构的第二不规则表面结构，所述第二不规则表面结构在所述第一不规则表面结构上形成；在所述n-型GaN层下形成的有源层；在所述有源层下形成的p-型GaN层；在所述p-型GaN层下形成的p-电极；以及在所述p-电极下形成的结构支持层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||