| 主权项 |
1.一种矽绝缘体晶圆,该晶圆包括:一由矽制之基片 (在该基片至少一个表面上方沿至少一个空间方向 具有至少一个导热度至少为1.6瓦/(绝对温度公尺) 之电绝缘层)及一位于电绝缘层上方、厚度为10奈 米至10微米、与平均层厚度之标准偏差至多为5%及 密度至多为0.5 HF缺陷/平方公分之单晶矽层。 2.如请求项1之矽绝缘体晶圆,其缺陷密度至多为11 04赛寇缺陷/平方公分。 3.如请求项1或2之矽绝缘体晶圆,其中电绝缘层之 导热度至少为9瓦/(绝对温度公尺)。 4.如请求项3之矽绝缘体晶圆,其中电绝缘层之导热 度至少为100瓦/(绝对温度公尺)。 5.如请求项1或2之矽绝缘体晶圆,其中该电绝缘层 包括至少两层不同电绝缘材料。 6.一种制造矽绝缘体晶圆之方法,该方法包含下列 诸步骤: -提供由矽制造之基片晶圆, -提供一具有单晶矽表面施体层之施体晶圆,该晶 圆之厚度至少对应于由其所制矽层之最终厚度,而 且该晶圆之空位浓度至多为1012个/立方公分及空 位聚块浓度至多为105个/立方公分, -对基片晶圆之一个面及/或具有施体层之施体晶 圆之一个面、沿至少一个空间方向施加一导热度 至少为1.6瓦(绝对温度公尺)电绝缘材料层,之后 -以适当方式连接基片晶圆及施体晶圆,俾具有施 体层之施体晶圆面系经由电绝缘层与基片晶圆相 连,及之后 -减低施体晶圆之厚度,俾自该施体层形成一最终 厚度为10奈米至10微米、与平均层厚度之标准偏差 至多为5%、缺陷密度至多为0.5 HF缺陷/平方公分之 单晶矽层,此单晶矽层系经由电绝缘材料与基片晶 圆相连。 7.如请求项6之方法,其中减低施体晶圆厚度之步骤 包含一抛光步骤。 8.如请求项6或7之方法,其中在施体晶圆与基片晶 圆黏合之前,于该施体晶圆内制造一分离层,且于 减低施体晶圆厚度之步骤包含一施体晶圆沿分离 层分离之步骤。 9.如请求项8之方法,其中该分离层系以将氢植入该 施体晶圆之方式而制成。 10.如请求项8之方法,其中分离作用之实施系藉300 至500℃温度下之热处理。 |
