发明名称 |
一种适合单芯片集成的调频硅微电容传声器系统 |
摘要 |
本发明涉及一种适合单芯片集成的调频硅微电容传声器系统,包括电容传声芯片,其特征在于,还包括集成高Q射频谐振器和射频振荡电路,所述集成高Q射频谐振器与电容传声芯片串联或并联,并与所述射频振荡电路一起构成一个射频振荡回路;该射频振荡回路的输出是一个频率调制的射频信号。本发明的优点是省去了传统的硅微电传声器中不容易和CMOS工艺兼容或制作困难的DC-DC直流升压电路、500M欧姆以上的大电阻以及低噪声JFET阻抗变换器。另外,本发明将电容变化转换成频率变化的方法,可以避免传声器在低频端由于偏置电阻太小而引起的衰落。利用本发明可以大大简化无线麦克风系统的设计。 |
申请公布号 |
CN101115325A |
申请公布日期 |
2008.01.30 |
申请号 |
CN200610089005.1 |
申请日期 |
2006.07.28 |
申请人 |
中国科学院声学研究所 |
发明人 |
乔东海;郝震宏;汤亮;田静 |
分类号 |
H04R19/01(2006.01);H04R19/04(2006.01) |
主分类号 |
H04R19/01(2006.01) |
代理机构 |
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
高存秀 |
主权项 |
1.一种适合单芯片集成的调频硅微电容传声器系统,包括电容传声芯片,其特征在于,还包括集成高Q射频谐振器和射频振荡电路,所述集成高Q射频谐振器与电容传声芯片串联或并联,并与所述射频振荡电路一起构成一个射频振荡回路;该射频振荡回路的输出是一个频率调制的射频信号;所述的集成高Q射频谐振器的品质因数Q至少为100。 |
地址 |
100080北京市海淀区北四环西路21号 |