发明名称 一种硅材料粉末化学纯化的方法
摘要 一种硅材料粉末化学纯化的方法,其方法是:将金属硅粉碎至微米级,将粉末气流喷至水雾中,用酸常温进行清洗,将粉末置入离心甩干机中甩干。本发明的优点是:1.将粉末气流喷至水雾中,解决硅粉成团问题,使粉末酸液清洗完整;2.工艺合理,耗能少,成本低;3.硅粉末纯度高。
申请公布号 CN101112989A 申请公布日期 2008.01.30
申请号 CN200710201161.7 申请日期 2007.07.24
申请人 晶湛(南昌)科技有限公司 发明人 罗应明;郭力
分类号 C01B33/037(2006.01) 主分类号 C01B33/037(2006.01)
代理机构 南昌洪达专利事务所 代理人 刘凌峰
主权项 1.一种硅材料粉末化学纯化的方法,其特征是方法步骤如下:首先将工业级金属硅或石英矿二氧化硅粉碎至微米级;将步骤1粉末用振荡器将超纯水雾化,再将粉末用气流喷至水雾中,将硅材料粉末完全沾湿,振荡造雾机所产生之水雾跟强气流吹入之硅粉未充分沾湿;用3HCL/1HNO3酸液常温清洗:A、用工业级盐酸及硝酸经耐酸碱过滤器过滤掉杂质后,再按3份盐酸,1份硝酸之比例配好;B、将步骤2所述粉末置入酸槽30分钟,配好的3HCL/1HNO3液常温浸泡,同时利用气泡或电机带搅拌器搅拌使之粉末与酸充分反应;C、酸洗完毕排掉槽中酸液,改用超纯水清洗,监控水值的电阻率达1兆欧姆即排掉纯水;(4)用50∶1HF常温清洗A、用工业级浓度49%之氢氟酸经耐酸碱过滤器过滤掉杂质,再按50份超纯水1份氢氟酸比例配比;B、将步骤3所得之粉末置入槽中,常温浸泡30分钟,同时用气泡或电机带搅拌器搅拌,使粉末与酸充分反应;C、酸洗完毕,排掉槽中之酸液,改用超纯水清洗,监控水值的电阻率达1兆欧姆即可排掉纯水;D、将粉末置入离心甩干机中甩干;E、将甩干的粉末置入烘箱,设定温度达100±3℃,底部吹入氮气,搅动粉末,使粉末干燥。
地址 330013江西省南昌市经济技术开发区黄家湖西路