| 发明名称 | 多层双轴取向隔离层结构及高温超导涂层导体和制备方法 | ||
| 摘要 | 一种多层双轴取向隔离层结构及高温超导涂层导体和制备方法。隔离层结构包括种子层，阻挡层和帽子层。它主要为在立方织构金属镍表面，通过氧化外延生长立方织构氧化镍种子层，再在其上生长钇稳定二氧化锆(YSZ)阻挡层和二氧化铈CeO<SUB>2</SUB>帽子层。这种双轴取向隔离层结构用于高温超导涂层导体，可使YBCO涂层沿双轴取向生长，具有良好的超导电性，获得超导临界电流密度Jc＞4×10<SUP>5</SUP>A/cm<SUP>2</SUP>。该方法包括：将具有高度立方织构的金属镍片进行清洁处理；在高温炉中恒温、氧化；采用真空沉积方法进行二氧化锆生长、CeO<SUB>2</SUB>生长、YBCO生长；进行YBCO退火而制成。该方法成本低，适宜大规模长带生产，制备手段易连续化。 | ||
| 申请公布号 | CN100365839C | 申请公布日期 | 2008.01.30 |
| 申请号 | CN200310121357.7 | 申请日期 | 2003.12.15 |
| 申请人 | 北京有色金属研究总院 | 发明人 | 杨坚;刘慧舟;古宏伟 |
| 分类号 | H01L39/24(2006.01) | 主分类号 | H01L39/24(2006.01) |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程凤儒 |
| 主权项 | 1.一种多层双轴取向隔离层结构，其特征在于：它是在立方织构金属镍表面上，通过氧化外延生长立方织构氧化镍种子层，其上生长钇稳定二氧化锆阻挡层和二氧化铈CeO2帽子层。 | ||
| 地址 | 100088北京市新街口外大街2号 | ||