| 发明名称 | 半导体集成电路器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体集成电路器件的制造方法，包括(a)使用催化剂在第一温度下合成湿气；(b)保持湿气为气体状态，将其供给到晶片上方以形成含有氧气的第一湿氧化气氛；(c)将晶片的第一主表面加热到高于第一温度的第二温度，在第一湿氧化气氛下对晶片的第一主表面的第一硅表面区进行热氧化，形成第一场效应晶体管的第一栅绝缘膜；(d)在步骤(c)之后，在第三温度下使用催化剂来合成湿气；(e)保持步骤(d)中合成的湿气为气态并把它供给到晶片上方，以形成含有氧气的第二湿氧化气氛；(f)通过将第一主表面加热到高于第三温度的第四温度，在第二湿氧化气氛下对第一主表面的第二硅表面区进行热氧化，形成第二场效应晶体管的第二栅绝缘膜，第二绝缘膜的厚度比第一绝缘膜的厚度小。 | ||
| 申请公布号 | CN100364056C | 申请公布日期 | 2008.01.23 |
| 申请号 | CN200410000801.4 | 申请日期 | 1998.03.04 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 田边义和;酒井哲;夏秋信义 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/8234(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)利用催化剂在第一温度下用氧气和氢气合成湿气；(b)一边保持所述湿气为气态，一边将所述合成的湿气通过气体引入管转移至批量处理垂直氧化炉的垂直晶片热处理室中，以在所述室内的多个晶片周围形成包括氧气的湿氧化气氛；(c)通过将所述晶片加热到高于所述第一温度的第二温度，在所述晶片热处理室中的所述湿氧化气氛中对各个所述晶片的第一主表面上或其上方的硅部件进行热氧化，其中将所述湿氧化气氛通过所述气体引入管引入到所述垂直晶片热处理室中，所述气体引入管沿所述垂直晶片热处理室的壁表面从该室的下端到该室的上端布置，并且所述气体引入管在所述垂直晶片热处理室的所述上端具有其出口，使得所述湿氧化气氛在所述垂直晶片热处理室中从所述上端流动到所述下端，并且其中在步骤(c)期间，执行步骤(a)和(b)。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||