发明名称 陶瓷烧结体,陶瓷烧结体之制造方法,金属蒸镀用发热体
摘要 本发明系以提供改善对熔融金属耐蚀性之陶瓷烧结体,可适用于其之陶瓷烧结体之制造方法,及可达成长寿命化之金属蒸镀用发热体。本发明为有关含有氮化硼、二硼化钛、钙化合物及氮化钛所成相对密度为92%以上之陶瓷烧结体,钙化合物换算成CaO为0.05~0.8质量%、由来自氮化钛(200)面之X线绕射之高强度,相对于BN之(002)面之高强度为0.06~0.15为其特征之陶瓷烧结体。又,亦揭示可适用于制造该陶瓷烧结体之陶瓷烧结体之制造方法,及由该陶瓷烧结体所构成之金属蒸镀用发热体。
申请公布号 TWI292784 申请公布日期 2008.01.21
申请号 TW093138429 申请日期 2004.12.10
申请人 电气化学工业股份有限公司 发明人 横田博;德永文夫;岩元健太郎;木村政光;渡边祥二郎
分类号 C23C14/24(2006.01) 主分类号 C23C14/24(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种陶瓷烧结体,其特征为含有氮化硼、二硼化 钛、钙化合物及氮化钛所成相对密度为92%以上之 陶瓷烧结体,钙化合物的含有率换算CaO为0.05~0.8质 量%,由来自氮化钛(200)面之X线绕射之高强度,相 对于BN之(002)面之高强度为0.06~0.15者。 2.如申请专利范围第1项之陶瓷烧结体,其中氮化钛 之一部份或全部存在于粒界相者。 3.如申请专利范围第1项或第2项之陶瓷烧结体,其 中更含有氮化铝所成者。 4.如申请专利范围第1项、第2项或第3项之陶瓷烧 结体,其中含于陶瓷烧结体之氮化硼结晶之C轴晶 格系数为6.675以下,陶瓷烧结体之氧量为1~2质量% 者。 5.如申请专利范围第1项之陶瓷烧结体,其中氮化硼 、二硼化钛之合计含有率为95质量%以上者。 6.如申请专利范围第3项之陶瓷烧结体,其中氮化硼 、二硼化钛及氮化铝之合计含有率为95质量%以上 者。 7.一种金属蒸镀用发热体,其特征系由如申请专利 范围第1项至第6项中任一项之陶瓷烧结体所构成 。 8.一种陶瓷烧结体之制造方法,其特征为将含二硼 化钛粉末与氮化硼粉末与钙系烧结助剂,依需要含 有氮化铝粉末所成之混合原料粉末,于非氧化性气 体环境中以1800~2100℃烧结的方法,上述氮化硼粉末 为氮化硼结晶之C轴晶格系数为6.690以下,累积平 均径为4~20m、BET比表面积为25~70 m2/g、氧量为1.0~ 2.5质量%之氮化硼粉末,上述混合原料粉末中之钙 系烧结助剂之含有率换算CaO为0.09~0.8质量%者。 9.如申请专利范围第8项之陶瓷烧结体之制造方法, 其中钙系烧结助剂为至少1种由CaO、Ca(OH)2及CaCO3所 选者。
地址 日本