发明名称 奈米级电子元件适应性设计法
摘要 一种方法,制造一半导体元件以使该元件具有一期望的转换特性。执行预测该半导体元件之一转换特性的计算,以在该半导体元件之制造期间可被使用的复数组不同的可用的控制参数值中之每一组。该等计算预测的且将使该半导体元件实质上提供该期望的转换特性的一组可利用的控制参数值可被识别,且该半导体元件可根据这些已识别的值来制造。
申请公布号 TW200805436 申请公布日期 2008.01.16
申请号 TW096106437 申请日期 2007.02.26
申请人 南加州州立大学 发明人 李维
分类号 H01L21/00(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国