首页
产品
黄页
商标
征信
会员服务
注册
登录
全部
|
企业名
|
法人/股东/高管
|
品牌/产品
|
地址
|
经营范围
发明名称
奈米级电子元件适应性设计法
摘要
一种方法,制造一半导体元件以使该元件具有一期望的转换特性。执行预测该半导体元件之一转换特性的计算,以在该半导体元件之制造期间可被使用的复数组不同的可用的控制参数值中之每一组。该等计算预测的且将使该半导体元件实质上提供该期望的转换特性的一组可利用的控制参数值可被识别,且该半导体元件可根据这些已识别的值来制造。
申请公布号
TW200805436
申请公布日期
2008.01.16
申请号
TW096106437
申请日期
2007.02.26
申请人
南加州州立大学
发明人
李维
分类号
H01L21/00(2006.01)
主分类号
H01L21/00(2006.01)
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
美国
您可能感兴趣的专利
鞋底
座管
汽车扰流板
趣味笔
收纸机之挡纸装置
三环杂环
甲基二恶茂烷
具有保护心脏功能之生育酚类似物
机械式滑鼠结构改良装置
塑胶拉链上止、鸟爪与下挡射出成型定位机构之改良
具有控制输出位准的输出缓冲器
组合式支︴框架结构
文件包之扣具结构改良
行李箱组合结构之改良
具有交谈对讲、自动雨刷装置之安全帽
可挠性截断器
一种无线电通话器车上免持听筒声音输出装置之改良
卫浴抽风装置之改良
昇降机之电源控制装置之改良
盒盖可打开定位之放置盒