| 发明名称 | 用于形成晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成晶体管的方法，包括通过在用溶液加工的聚合物层之上用溶液淀积第二聚合物层来形成半导体层和栅绝缘体层之间的晶体管活性界面的步骤，其中用溶液加工的聚合物层在淀积第二聚合物层之前尚未转化成不溶的形式。 | ||
| 申请公布号 | CN101106179A | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
| 申请号 | CN200710106579.X | 申请日期 | 2000.06.21 |
| 申请人 | 剑桥企业有限公司 | 发明人 | 亨宁·斯林豪斯;理查德·亨利·弗雷德;理查德·约翰·威尔森 |
| 分类号 | H01L51/40(2006.01) | 主分类号 | H01L51/40(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 康建忠 |
| 主权项 | 1.一种用于形成晶体管的方法，包括通过在用溶液加工的聚合物层之上用溶液淀积第二聚合物层来形成半导体层和栅绝缘体层之间的晶体管活性界面的步骤，其中用溶液加工的聚合物层在淀积第二聚合物层之前尚未转化成不溶的形式。 | ||
| 地址 | 英国剑桥 | ||