| 主权项 |
1.一种基板支件(1),特别是用于使半导体材料(3)以 磊晶方式沈积在一基板(2)上所用之设备中,该基板 支件(1)具有一基板设定侧和一远离该设定侧之半 导体反侧,其特征为:该基板支件(1)具有一种温度 补偿结构,其在包含一种加热或冷却之过程中使一 种位于该基板支件(1)上或位于其附近中之基板(2) 之整个基板面上达成一种明确之温度曲线,且该温 度补偿结构在整个基板面上造成一种尽可能均匀 之温度。 2.如申请专利范围第1项之基板支件(1),其中该温度 补偿结构在基板设定侧中及/或支件反侧中是一个 或多个三维之结构。 3.如申请专利范围第2项之基板支件(1),其中该三维 之结构藉由至少一在边缘附近中延伸之槽(4)来形 成。 4.如申请专利范围第3项之基板支件(1),其中该槽(4) 之宽度最多是该基板支件之半径之80%且该槽(4)之 深度小于该基板支件(1)之厚度或小于一种存在于 该基板设定侧上之涂层之厚度。 5.如申请专利范围第3项之基板支件(1),其中该槽(4) 配置成环形或同心之形式。 6.如申请专利范围第4项之基板支件(1),其中该槽(4) 配置成环形或同心之形式。 7.如申请专利范围第3至6项中任一项之基板支件(1) ,其中各槽(4)之间之间距在各区域(其中在上述过 程,特别是半导体材料之生长,期间或该过程之后 存在着较高之温度)中较在温度较低之各区域中者 还小。 8.如申请专利范围第3至6项中任一项之基板支件(1) ,其中各槽(4)之深度在生长半导体材料期间存在着 较高温度之各区域中较存在着较低温度之各区域 中者还大。 9.如申请专利范围第3至6项中任一项之基板支件(1) ,其中各槽(4)之横切面是四角形,圆形,圆形或上述 这些形式之一之一部份。 10.如申请专利范围第1或2项之基板支件(1),其中该 温度补偿结构具有一种组织。 11.如申请专利范围第10项之基板支件(1),其中该组 织含有多个沟渠及/或沟槽,其相互间之间距须配 合该基板支件(1)之温度曲线,使各沟渠及/或沟槽 之间之间距在生长半导体材料期间存在着较高温 度之各区域中较存在着较低温度之各区域中者还 小。 12.如申请专利范围第10项之基板支件(1),其中该组 织含有多个沟渠及/或沟槽,其深度须配合该基板 支件(1)之温度曲线,使各沟渠及/或沟槽在生长半 导体材料期间存在着较高温度之各区域中之深度 较存在着较低温度之各区域中者还大。 13.如申请专利范围第10项之基板支件(1),其中该组 织含有: -沟渠,其至少一部份相交, -沟渠,其至少一部份互相平行而配置着, -沟渠,其至少一部份成弯曲状, -沟渠,其成点状,圆形状或长方六面体形状, -沟渠,其具有点状,圆形状或长方六面体形状之组 合, -或含有沟渠及/或沟槽,其具有上述各种形式之至 少二种之组合。 14.如申请专利范围第1或2项之基板支件(1),其中该 温度补偿结构含有多个由不同深度所形成之连续 之步级。 15.如申请专利范围第10项之基板支件(1),其中该温 度补偿结构含有多个由不同深度所形成之连续之 步级。 16.如申请专利范围第14项之基板支件(1),其中各步 级以同心方式配置在中央。 17.如申请专利范围第15项之基板支件(1),其中各步 级以同心方式配置在中央。 18.如申请专利范围第14项之基板支件(1),其中设有 各步级之表面含有一种连续之成步级之起伏。 19.如申请专利范围第15项之基板支件(1),其中设有 各步级之表面含有一种连续之成步级之起伏。 20.如申请专利范围第14项之基板支件(1),其中各步 级之深度须配合该基板支件(1)之温度曲线,使各步 级在生长半导体材料期间存在着较高温度之各区 域中之深度较存在着较低温度之各区域中者还大 。 21.如申请专利范围第15项之基板支件(1),其中各步 级之深度须配合该基板支件(1)之温度曲线,使各步 级在生长半导体材料期间存在着较高温度之各区 域中之深度较存在着较低温度之各区域中者还大 。 22.如申请专利范围第1项之基板支件(1),其中该基 板设定侧具有一种基板设定结构,藉此在已设定之 基板中在该基板(2)和该基板支件(1)之间形成一种 间隙(8)。 23.如申请专利范围第22项之基板支件(1),其中须形 成该基板设定结构,使只有该基板(2)之边缘或边缘 侧之各区域位于该设定结构上且该基板(2)在其余 区域中未与该基板支件(1)相接触。 24.如申请专利范围第22项之基板支件(1),其中该基 板设定结构是一种围绕该基板之步级。 25.如申请专利范围第23项之基板支件(1),其中该基 板设定结构是一种围绕该基板之步级。 26.如申请专利范围第22至25项中任一项之基板支件 (1),其中该基板设定结构包含至少一种基板系住区 以支撑该基板(2),其在该基板支件表面上方具有一 种基板设定面(9)。 27.如申请专利范围第6项之基板支件(1),其中该基 板系住区由一种具有切口(7)之半球或平台(6)所构 成,其具有至少一与该基板支件表面平行且位于上 方之基板设定面(9)。 28.如申请专利范围第1至6项中任一项之基板支件(1 ),其中在该基板支件(1)之基板设定侧上设有一凹 口,其至少足够大,使该基板(2)之至少一部份可平 行于基板支件(1)之设定面而配置在该凹口中。 29.如申请专利范围第1至6项中任一项之基板支件(1 ),其中在该基板支件(1)之表面含有一种小于10 m 之粗糙度。 30.如申请专利范围第1至6项中任一项之基板支件(1 ),其中在该基板支件(1)具有至少一种已研磨及/或 已抛光之表面。 31.一种以磊晶方式生长半导体材料(3)于基板(2)上 所用之设备,其包含:至少一反应器,一种气体混合 系统和一种排气系统,该反应器具有:至少一基板 支件(1),一用于该基板支件(1)之载体,以及一加热 用之装置,其特征为:该基板支件(1)是依据申请专 利范围第1至30项中任一项之基板支件(1)所形成。 图式简单说明: 第1a、1b图 分别为本发明之基板支件之第一实施 例之切面图和俯视图。 第2a至2d图 本发明之基板支件之第一实施例之不 同形式之切面图。 第3图 本发明之基板支件之第二实施例之俯视图 。 第4a至4e图 本发明之基板支件之第二实施例之不 同形式之切面图。 第5图 本发明之基板支件之第三实施例之俯视图 。 第6a至6c图 分别为本发明之基板支件之第四实施 例之切面图或俯视图。 第7a至7c图 分别为本发明之基板支件之第五实施 例之切面图和俯视图。 第8a、8b图 本发明之基板支件之第六实施例之切 面图。 第9图 本发明之基板支件之第七实施例之俯视图 。 |
