| 发明名称 | 类钻碳膜层的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种类钻碳膜层的制作方法，主要是利用溅镀方式于基板表面生长一类钻碳膜层。本发明制作方法包括以下步骤：(a)提供一反应室，并且将一基板置入反应室内；(b)使反应室的压力低于10<SUP>-6</SUP>torr以下；(c)导入至少一含碳的气体于反应室内；以及(d)使用一石墨钯材以溅镀沉积一类钻碳膜层于基板表面。且，本发明所制作的类钻碳膜层具有片状结构特征，并且于基板表面排列成一花瓣图案。由于本发明类钻碳膜的片状结构的高度约为微米级，片状结构的厚度约为纳米级，所以本发明类钻碳膜的片状结构具有高的高宽比，即可具有很良好的场发射增强因子。 | ||
| 申请公布号 | CN101096752A | 申请公布日期 | 2008.01.02 |
| 申请号 | CN200610086780.1 | 申请日期 | 2006.06.26 |
| 申请人 | 大同股份有限公司 | 发明人 | 罗吉宗;郑健民 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01);C23C14/54(2006.01);C23C14/06(2006.01) | 主分类号 | C23C14/34(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周长兴 |
| 主权项 | 1、一种类钻碳膜层的制作方法，包括以下步骤：(a)提供一反应室，并且将一基板置入该反应室内；(b)使该反应室的压力低于10-6torr以下；(c)导入至少一含碳的气体于该反应室内；以及(d)使用一石墨钯材以溅镀沉积一类钻碳膜层于该基板表面；其中，该类钻碳膜层具有片状结构，该类钻碳膜层的片状结构排列于该基板表面，形成一花瓣图案。 | ||
| 地址 | 台湾省台北市 | ||