发明名称 半导体装置及制造半导体装置的方法
摘要 提供一种用于执行入射光的光电转换之半导体装置,包含:一p型基板(1);具有一预设深度且形成在p型基板(1)的一预设区域中之一n型井(2);以及在p型基板(1)和n型井(2)之间的介面上所产生之一空乏层。沟槽,其具有大于在n型井(2)的一底侧上所产生的一空乏层(K1)之深度的一深度,以及大于在n型井(2)的侧上所产生的空乏层(K2、K3)之宽度的一宽度,系提供以使移除在n型井(2)的该些侧上的接面界面(J2、J3);以及埋入至该些沟槽(22)中的绝缘层(21)。
申请公布号 TW200802910 申请公布日期 2008.01.01
申请号 TW096106192 申请日期 2007.02.16
申请人 精工电子有限公司 发明人 岩崎淳;鹰巢博昭
分类号 H01L31/10(2006.01) 主分类号 H01L31/10(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本