发明名称 | 半导体装置及制造半导体装置的方法 | ||
摘要 | 提供一种用于执行入射光的光电转换之半导体装置,包含:一p型基板(1);具有一预设深度且形成在p型基板(1)的一预设区域中之一n型井(2);以及在p型基板(1)和n型井(2)之间的介面上所产生之一空乏层。沟槽,其具有大于在n型井(2)的一底侧上所产生的一空乏层(K1)之深度的一深度,以及大于在n型井(2)的侧上所产生的空乏层(K2、K3)之宽度的一宽度,系提供以使移除在n型井(2)的该些侧上的接面界面(J2、J3);以及埋入至该些沟槽(22)中的绝缘层(21)。 | ||
申请公布号 | TW200802910 | 申请公布日期 | 2008.01.01 |
申请号 | TW096106192 | 申请日期 | 2007.02.16 |
申请人 | 精工电子有限公司 | 发明人 | 岩崎淳;鹰巢博昭 |
分类号 | H01L31/10(2006.01) | 主分类号 | H01L31/10(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |