发明名称 形成晶圆导电凸块之方法
摘要 一种形成晶圆导电凸块之方法,其系应用于无光阻制程之导电凸块制作,形成凸块之方法包含:提供一晶圆,晶圆正面具有复数个金属焊垫;形成一凸块下金属层(Under Bump Metallurgy,UBM)于该晶圆之正面上;设置一硬质图案化遮罩层于该晶圆之正面,硬质图案化遮罩层具有复数个开口,开口系显露金属焊垫上之凸块下金属层;电镀一金属层于硬质图案化遮罩层开口中与凸块下金属层上;移除硬质图案化遮罩层;进行凸块下金属层之多蚀刻步骤;以及进行一回焊程序,以形成凸块。
申请公布号 TW200802644 申请公布日期 2008.01.01
申请号 TW095124044 申请日期 2006.06.30
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 谢爵安;戴豊成
分类号 H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L21/60(2006.01)
代理机构 代理人 许世正;陈瑞田
主权项
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号
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