| 主权项 |
1.一种使用步阶式阻抗共振组成之平面双工器,其 至少包含: 一基板,具有一第一表面与一第二表面,该第二表 面系为接地面; 一第一共振器,系为步阶式阻抗共振器并配置于该 基板之该第一表面上,其具有一第一信号输出入埠 ,用以产生复数个频率响应; 一第二共振器,系为步阶式阻抗共振器并配置于该 基板之该第一表面上,其具有一第二信号输出入埠 ,该第二共振器系与该第一共振器以直接耦合形式 配置,用以产生复数个频率响应;以及 一第三共振器,系为均匀阻抗共振器并配置于该基 板之该第一表面上,其具有一第三信号输出入埠, 该第三共振器系与该第一共振器以直接耦合形式 配置,用以产生复数个频率响应。 2.如申请专利范围第1项所述之使用步阶式阻抗共 振组成之平面双工器,其中该第一共振器系可藉由 调整其阻抗比与结构电子长度以决定该复数个频 率响应之位置。 3.如申请专利范围第1项所述之使用步阶式阻抗共 振组成之平面双工器,其中该第二共振器系可藉由 调整其阻抗比与结构电子长度以决定该复数个频 率响应之位置。 4.如申请专利范围第1项所述之使用步阶式阻抗共 振组成之平面双工器,其中该第一共振器之阻抗比 系为0.5~0.9。 5.如申请专利范围第1项所述之使用步阶式阻抗共 振组成之平面双工器,其中该第二共振器之阻抗比 系为0.2~0.7。 6.如申请专利范围第1项所述之使用步阶式阻抗共 振组成之平面双工器,其中该第三共振器之特性阻 抗系设定于25~125欧姆。 7.如申请专利范围第1项所述之使用步阶式阻抗共 振组成之平面双工器,其中该基板可以是玻璃纤维 板(FR4)、商用基板(RT-Duroid系列)、氧化铝基板(Al2O3 )、商用基板(RO系列)、高温共烧陶瓷、低温共烧 陶瓷、高介电材料、低介电材料与半导体所组成 族群中之任何一种基板材料。 8.如申请专利范围第7项所述之使用步阶式阻抗共 振组成之平面双工器,其中该基板为低温共烧陶瓷 基板。 图式简单说明: 图1显示为本创作之使用步阶式阻抗共振器之平面 双工器之立体图。 图2显示为步阶式阻抗共振器之结构图。 图3显示为本创作之该复数个共振器之频率响应分 布图。 图4显示为步阶式阻抗共振器之共振频率与结构电 子长度关系图。 图5显示为本创作之最佳实施例之实测频率响应图 。 |
