发明名称 |
一种栅氧化工艺的热处理方法 |
摘要 |
本发明公开了一种栅氧化工艺的热处理方法,在现有的栅氧化工艺流程中,将氧气加入退火工艺,使现有工艺中的纯氮气退火改为本发明的氮氧混合气体退火。本发明在不影响硼穿通和HCI的前提下,可以改善栅氧化的周期噪声表现。本发明可用于半导体集成电路及分离器件的制造工艺。 |
申请公布号 |
CN100353500C |
申请公布日期 |
2007.12.05 |
申请号 |
CN200410053293.6 |
申请日期 |
2004.07.29 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
姚泽强;虞军毅;刘忠来 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01);H01L21/324(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01) |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
1、一种栅氧化工艺的热处理方法,其特征在于:在N2O退火之后的热处理过程中,加入少量氧气,使整个氧化过程分为三段:1、主氧化:小流量的湿氧,800℃;2、N2O退火,900℃;3、在随后的退火氮气中掺入氧气,此时生长的氧化层将原先已产生的氧化层推离硅/二氧化硅的界面,减少电离陷阱在硅/二氧化硅的界面的浓度。 |
地址 |
201206上海市浦东川桥路1188号 |