| 发明名称 | 一种用于硅晶体材料缺陷显示的腐蚀液及其使用方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开的用于硅晶体材料缺陷显示的腐蚀液，以体积百分数计，含有：质量浓度为65％～68％的HNO<SUB>3</SUB>≥10％，质量浓度为40％的HF≥5％，且35％≤HNO<SUB>3</SUB>+HF≤75％，其余体积由H<SUB>2</SUB>O补足，使得HNO<SUB>3</SUB>+HF+H<SUB>2</SUB>O＝100％。该腐蚀液适用范围广，可以用于电阻率为0.0007～80Ω·cm、(110)、(100)和(111)等不同晶向硅片的缺陷的择优腐蚀，并且具有缺陷分辨能力高、腐蚀时间短、可调节浓度范围广、不含重金属离子以及使用简易等优点。这种腐蚀剂尤其适用于低阻硅片的缺陷显示。 | ||
| 申请公布号 | CN101082550A | 申请公布日期 | 2007.12.05 |
| 申请号 | CN200710070017.4 | 申请日期 | 2007.07.13 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 杨德仁;马向阳;曾俞衡;阙端麟 |
| 分类号 | G01N1/32(2006.01);G01N21/95(2006.01) | 主分类号 | G01N1/32(2006.01) |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 1.一种用于硅晶体材料缺陷显示的腐蚀液，其特征是以体积百分数计，含有：质量浓度为65％～68％的HNO3≥10％，质量浓度为40％的HF≥5％，且满足35％≤HNO3+HF≤75％，其余体积由H2O补足，组分之和为HNO3+HF+H2O＝100％。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||