用于减小MEMS器件上的薄膜应力的隔离方案

摘要

提供一种电隔离MEMS器件的方法。在一个实例中，具有暴露的硅区的压敏电阻压力传感器经受了硅的局部氧化(LOCOS)处理。用LOCOS工艺产生了电绝缘结构。该绝缘结构与压敏电阻压力传感器具有圆形的或弯曲的界面。该弯曲的界面减轻了伴随着暴露到高温和高压下的应力。此外，构图电绝缘线使得其具有弯曲角度，进一步减轻了应力。

主权项

1、一种为包括待氧化的硅区的微电子机械系统(MEMS)器件提供电隔离的方法，该方法包括：在MEMS器件的顶部形成掩模层，该掩模层基本上覆盖了MEMS器件并限定了硅区的暴露部分；和通过硅的局部氧化(LOCOS)工艺在硅区的顶部生长二氧化硅(SiO2)层，其中硅区被消耗以形成SiO2层，该SiO2层和硅区包括弯曲界面，该弯曲界面在LOCOS工艺中形成，并降低了与暴露在高温和高压下有关的膜应力。