金氧半电晶体及其制作方法

摘要

一种金氧半电晶体的制作方法，此方法是先提供一基底。然后，于基底中形成源极/汲极延伸区。接着，于基底上形成低介电常数之垫材料层。之后，于垫材料层与基底中形成沟渠。继之，于沟渠中的基底表面形成闸介电层。随后，于沟渠中形成堆叠闸极结构，其中位于堆叠闸极结构之一导电层的顶部高于垫材料层的表面。接着，于基底上顺应性地形成间隙壁材料层。而后，移除部分间隙壁材料层与部分垫材料层，以形成一对第一间隙壁与一对垫块。继之，于堆叠闸极结构两侧的基底上形成源极/汲极。