半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供如下的技术，此技术通过减小连接孔部分的电气特性的不均，可以提高半导体装置的可靠性以及制造良品率。将半导体晶圆SW放置在成膜装置的干洗处理用的腔室57所具有的晶圆载物台57a上后，供给还原气体，对半导体晶圆SW的主面进行干洗处理，接着，利用温度维持在180℃的喷头57c，在100至150℃的第1温度下，对半导体晶圆SW进行热处理。其次，将半导体晶圆SW从腔室57真空搬运到热处理用的腔室中后，在此热处理用的腔室中，以150至400℃的第2温度对半导体晶圆SW进行热处理，由此去除残留在半导体晶圆SW的主面上的生成物。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，隔着势垒金属膜，将金属膜埋入在绝缘膜上开口的连接孔的内部，且在所述绝缘膜上形成所述连接孔之后，在将所述势垒金属膜堆积到所述连接孔的内部之前，包含以下步骤：(a)将半导体晶圆放置到第1腔室所具有的晶圆载物台上的步骤；(b)通过设置在所述晶圆载物台上方的喷头来供给还原气体，对所述连接孔的内部进行干洗处理的步骤；(c)以利用了所述喷头的加热温度的第1温度来对所述半导体晶圆进行热处理的步骤；(d)将所述半导体晶圆从所述第1腔室搬运到第2腔室的步骤；以及(e)在所述第2腔室中，以高于所述第1温度的第2温度来对所述半导体晶圆进行热处理的步骤。