发明名称 |
一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜材料的制备方法,属于信息功能材料与器件领域。本发明方法包括先驱体溶液的配置,即将醋酸铅,异丙醇锆,正丙醇钛先驱材料加人乙二醇甲醚等溶剂中,采用聚乙烯醇和乙酰丙酮控制粘度和稳定度,在干燥气氛下配制成均匀稳定透明的先驱体溶液。然后在硅基衬底上通过甩胶、干燥、退火等过程制备所需厚度的铁电厚膜材料。本发明通过引入缓冲层减缓了由于铁电厚膜材料和硅基衬底的热膨胀系数差异引起的热应力,实现了硅基衬底上铁电厚膜材料的制备。本发明的硅基铁电厚膜材料可以用于硅基的铁电、压电、热释电等微型集成器件的研制。 |
申请公布号 |
CN101074170A |
申请公布日期 |
2007.11.21 |
申请号 |
CN200710042360.8 |
申请日期 |
2007.06.21 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
王根水;董显林 |
分类号 |
C04B41/52(2006.01);C04B35/491(2006.01);H01L21/316(2006.01) |
主分类号 |
C04B41/52(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜的制备方法,包括先驱体的配制、甩胶、干燥、热解、退火等步骤,其特征在于包括下述步骤:(1)将醋酸铅、异丙醇锆、正丙醇钛加入有机溶剂中,采用聚乙烯醇和乙酰丙酮控制粘度和稳定度,在干燥气氛下通过蒸馏,回流,过滤配制成锆钛酸铅铁电厚膜先驱体溶液,溶液的浓度大于0.5摩尔/升;(2)在清洗的硅基片上制备镍酸镧过渡层;(3)在镍酸镧过渡层上通过锆钛酸铅铁电厚膜先驱体溶液的甩胶、干燥、退火备所需厚度的厚膜材料。 |
地址 |
200050上海市定西路1295号 |