| 发明名称 | 一种基于半导体纳米材料的铁电场效应晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种采用一维半导体纳米材料替代硅材料作为导电通道的铁电场效应晶体管及其制备方法。该铁电场效应晶体管由衬底(1)和沉积在其上的栅区(2)，以及源区(3)、漏区(5)和位于源区(3)和漏区(5)之间的一维半导体纳米材料导电通道(4)组成，源区(3)和漏区(5)均为几十纳米厚的金属层，在制作源区(3)和漏区(5)之前，一维半导体纳米材料被均匀地布散在栅区(2)上，栅区(2)为铁电材料薄膜层。其是一种在断电时不会丢失信息的非易失存储器，它除了具有铁电随机存储器的高密度、高速度、低功耗和抗辐射等优点，还具有非破坏性读出以及结构更加简单紧凑的特点。同时，该种铁电场效应晶体管制作工艺简单，并且给予器件更高潜在的集成度。 | ||
| 申请公布号 | CN101075636A | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN200710099321.1 | 申请日期 | 2007.05.16 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 王恩哥;符;白雪冬 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 尹振启 |
| 主权项 | 1.一种基于一维半导体纳米材料的铁电场效应晶体管，其特征在于，该铁电场效应晶体管由衬底(1)和沉积在其上的铁电材料薄膜作为栅区(2)，以及源区(3)、漏区(5)和位于源区(3)和漏区(5)之间的一维半导体纳米材料导电通道(4)组成，源区(3)和漏区(5)均为几十纳米厚的金属膜，在制作源区(3)和漏区(5)之前，一维半导体纳米材料被均匀地布散在栅区(2)上，其中栅区(2)为铁电材料薄膜层，与硅衬底同时作为栅极。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 | ||