| 发明名称 | 制造发光二极管的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造发光二极管的方法，包含：在一半导体衬底上依序形成一高选择比层以及一发光结构。之后，在发光结构上依序形成一p型欧姆接触层以及一金属层在p型欧姆接触层上。接着，将半导体衬底以及高选择比层移除。然后，在发光结构相对于该金属层的面形成一n型接触电极与一透明导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN101075649A | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN200610082597.4 | 申请日期 | 2006.05.18 |
| 申请人 | 洲磊科技股份有限公司 | 发明人 | 吴伯仁;吴美慧;詹凯富;陈建安;张源孝;叶立学 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 田野 |
| 主权项 | 1.一种制造发光二极管的方法，包含：提供一半导体衬底；形成一高选择比层在该半导体衬底上；形成一发光结构在该高选择比层上，其中该发光结构包含一n-型导电的半导体层在该高选择比层上以及一p-型导电的半导体层在该n-型导电的半导体层上；形成一p型欧姆接触层在该发光结构上；形成一金属层在该p型欧姆接触层上；移除该半导体衬底以及该高选择比层；形成一n型接触电极且紧邻在该n-型导电的半导体层；以及形成一透明导电层且紧邻在该n-型导电的半导体层。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||