发明名称 利用镍掺杂铟锡氧化物(ITO)阳极提高有机发光二极体(OLED)注入效率的结构及其方法
摘要 一种利用镍掺杂铟锡氧化物(ITO)阳极提高有机发光二极体(OLED)注入效率的结构及其方法,该方法包括有:提供一ITO基板,其有一阳极表面;提供一有镍(Ni)掺杂的ITO靶源,以溅镀的方式,使该ITO基板之阳极表面形成有Ni掺杂在上;藉此,该ITO阳极之表面功函数可提高,致可大幅降低其ITO阳极与一电洞传输层间之位能障,进而降低OLED元件的起始电压(threshold voltage)与点亮电压(turn-on voltage),而可达致提高电洞的注入效率。
申请公布号 TW200743236 申请公布日期 2007.11.16
申请号 TW095116643 申请日期 2006.05.11
申请人 许进明 发明人 许进明;吴文端;李信辉
分类号 H01L51/40(2006.01);H05B33/26(2006.01) 主分类号 H01L51/40(2006.01)
代理机构 代理人 刘建忠
主权项
地址 台南县永康市胜华街37巷40号