具有介于源极区和汲极区间之埋入式氧化物层的应变矽金属氧化物半导体装置

摘要

一种MOS装置，包含：包括设置在闸极介电质上之闸极电极的闸极堆叠、形成在该闸极堆叠的横向相对侧上之第一间隔体及第二间隔体、在该第一间隔体邻近之源极区、在该第二间隔体邻近之汲极区、以及在该闸极堆叠下方并设置在该源极区与该汲极区之间的通道区域。本发明的MOS装置进一步包含：在该通道区域下方并设置在该源极区与汲极区之间的埋入式氧化物(BOX)区域。该BOX区域允许形成较深的源极及汲极区，以降低电晶体电阻以及自对准矽化物尖峰缺陷，同时防止闸极边缘接面寄生电容。