发明名称 一种熔体晶体实时观察系统
摘要 本发明涉及氧化物的高温熔体晶体生长的实时观察系统。整个系统包括晶体生长部分、生长过程观察部分,生长过程记录部分和磁场发生部分,属于单晶生长领域。其中晶体生长部分包括生长炉、生长炉加热用电源、测温热电偶及其数字显示仪。生长观察部分采用的是通过引入休仑效应而改进后的休仑—微分干涉显微镜。磁场发生系统为改进了的外斯型电阻式连续可调磁场发生系统。本发明的观察系统创新的结合应用光学干涉和Schliren(休仑)的显微实时观察法,能同时实时观察界面动力学过程与熔体流动过程。
申请公布号 CN100346010C 申请公布日期 2007.10.31
申请号 CN200510025815.6 申请日期 2005.05.13
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 金蔚青;洪勇;梁歆桉;潘志雷;刘照华;潘秀宏
分类号 C30B35/00(2006.01);C30B15/26(2006.01) 主分类号 C30B35/00(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1、一种熔体晶体实时观察系统,其特征在于整个系统包括晶体生长部分、生长过程观察部分,生长过程记录部分和磁场发生部分组成;整个系统通过一个固定架将磁场发生部分、光学观察部分和晶体生长部分组合在一起;磁场发生部分通过一个托架与固定架连接起来,磁场发生部分包括磁场发生系统和连续可调的直流稳压电源;晶体生长部分由生长炉、直流稳压电源和温度数据采集显示部分组成;所述的磁场发生系统平行放置在晶体生长炉的两侧,磁场方向水平穿过生长炉平面。
地址 200050上海市定西路1295号