发明名称 |
一种熔体晶体实时观察系统 |
摘要 |
本发明涉及氧化物的高温熔体晶体生长的实时观察系统。整个系统包括晶体生长部分、生长过程观察部分,生长过程记录部分和磁场发生部分,属于单晶生长领域。其中晶体生长部分包括生长炉、生长炉加热用电源、测温热电偶及其数字显示仪。生长观察部分采用的是通过引入休仑效应而改进后的休仑—微分干涉显微镜。磁场发生系统为改进了的外斯型电阻式连续可调磁场发生系统。本发明的观察系统创新的结合应用光学干涉和Schliren(休仑)的显微实时观察法,能同时实时观察界面动力学过程与熔体流动过程。 |
申请公布号 |
CN100346010C |
申请公布日期 |
2007.10.31 |
申请号 |
CN200510025815.6 |
申请日期 |
2005.05.13 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
金蔚青;洪勇;梁歆桉;潘志雷;刘照华;潘秀宏 |
分类号 |
C30B35/00(2006.01);C30B15/26(2006.01) |
主分类号 |
C30B35/00(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、一种熔体晶体实时观察系统,其特征在于整个系统包括晶体生长部分、生长过程观察部分,生长过程记录部分和磁场发生部分组成;整个系统通过一个固定架将磁场发生部分、光学观察部分和晶体生长部分组合在一起;磁场发生部分通过一个托架与固定架连接起来,磁场发生部分包括磁场发生系统和连续可调的直流稳压电源;晶体生长部分由生长炉、直流稳压电源和温度数据采集显示部分组成;所述的磁场发生系统平行放置在晶体生长炉的两侧,磁场方向水平穿过生长炉平面。 |
地址 |
200050上海市定西路1295号 |