| 发明名称 | 处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种处理装置的改良后处理容器的构造，该处理装置在金属制的筒体状处理容器内采用处理气体对被加热的半导体晶片等被处理体进行处理。处理容器(34)由在上下方向层积并相互连结的多个块体(80、82、84)而构成。邻接块体之间设置有真空隔热层(86、88)。由此，能够抑制各个块体间的热传导，并且能够对各个块体的温度进行分别控制，提高能量效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101061572A | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN200680001198.9 | 申请日期 | 2006.10.18 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 西本伸也;汤浅珠树 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);C23C16/44(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种处理装置，对被处理体进行规定处理，其特征在于，包括：可排气的金属制处理容器；为了载置被处理体设置在所述处理容器内的载置台；用于对所述被处理体进行加热的加热部件；以及将处理气体导入所述处理容器内的气体导入单元，其中，所述处理容器由相互连结的多个块体构成，在邻接块体之间设置有块体间真空隔热层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||