| 主权项 |
1.一种用于切割一基材的一晶粒接附区域之方法, 包含: 决定一基材上之一第一转发器的一部位; 以该第一转发器的部位为基础在一预期的后续配 置转发器之一部位处切割该基材以形成一传导间 隙;及 在该间隙上方沉积该后续配置的转发器于该基材 上。 2.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含将该经 沉积的转发器熔接至该基材。 3.一种结合机,包含: 一配置站,其将转发器沉积在一移动的基材上; 一测量站,其与该配置站相邻用以决定藉由该配置 站配置于该基材上之一经沉积的转发器之一部位; 及 一切割站,其与该配置站相邻且与该测量站相对用 以在一预期后续配置的转发器之一部位处切割该 基材来形成一传导间隙,该间隙的部位系以该经沉 积的转发器之测得部位为基础以使该配置站适可 将该预期的后续配置转发器在该间隙上方配置于 该基材上。 4.如申请专利范围第3项之结合机,进一步包含一用 以将该经沉积的转发器熔接至该基材之熔接站。 5.一种用于切割一基材的一晶粒接附区域之方法, 包含: 在一第一时间决定出沉积在一连续往前移动的基 材上之该晶粒接附区域处之一转发器的一部位; 根据该决定在一第二时间在该经接附的转发器处 切割该连续往前移动的基材以形成一传导间隙于 该基材中。 6.如申请专利范围第5项之方法,进一步包含沉积该 转发器于该基材上。 7.如申请专利范围第5项之方法,其中该决定步骤系 包括对齐该晶粒接附区域处之一助熔剂的一部位 。 8.一种结合机,包含: 一测量站,其用以对齐一连续移动的基材上之一晶 粒接附区域处之一转发器的一部位;及 一切割站,其与该测量站相邻用以在该转发器处切 割该基材来形成一传导间隙于该基材中,该间隙的 部位系以该转发器的测得部位为基础。 9.如申请专利范围第8项之结合机,进一步包含一与 该测量站相邻之配置站用以将该转发器沉积在该 连续移动的基材上。 10.如申请专利范围第8项之结合机,其中该测量站 系以该晶粒接附区域处之一助熔剂的部位为基础 来对齐该转发器的部位。 11.一种用于切割一基材的一晶粒接附区域之方法, 包含: 在一移动的基材的一晶粒接附区域处沉积一转发 器;及 在该晶粒接附区域处沉积该转发器之同时,在该晶 粒接附区域处切割该移动的基材以形成一与该转 发器相邻之间隙。 12.如申请专利范围第11项之方法,进一步包含决定 该移动的基材上之该经沉积的转发器之一对准。 13.一种结合机,包含: 一配置站,其将一转发器沉积在一移动的基材之一 晶粒接附区域上; 一切割站,其与该移动的基材相邻且与该配置站相 对用以适可在该晶粒接附区域处切割该基材以与 该转发器沉积于该晶粒接附区域上同时地形成一 与该转发器相邻之间隙。 14.如申请专利范围第13项之结合机,进一步包含一 与该配置站相邻之测量站用以决定该连续移动的 基材上之该经沉积的转发器之一对准。 15.如申请专利范围第13项之结合机,其中该间隙系 形成一供该转发器用之天线。 16.一种用于施加各别的转发器到至少一电性传导 构件以形成复数个电路组件之方法,该至少一电性 传导构件沿一路径连续地往下移动,各该等电路组 件具有一第一传导部、一第二传导部及一位于该 第一与第二传导部之间的传导间隙,该转发器系排 列为固接至该第一及第二传导部而在其间桥接该 传导间隙,该方法包含: 在该至少一电性传导构件沿该路径往下移动之同 时决定出该等复数个电路组件的一者中之该传导 间隙的部位; 以该传导间隙之经决定部位为基础,在该至少一电 性传导构件沿该路径往下移动之同时将一各别的 转发器配置为与该传导间隙相邻;及 横越该传导间隙将各个各别转发器的各别部分电 性耦合至各别的该等第一及第二传导部以固接该 各别的转发器。 17.如申请专利范围第16项之方法,其中该路径包含 一高速列印线之一部分。 18.如申请专利范围第16项之方法,进一步包含形成 该传导间隙。 19.一种结合机,其适可将各别的转发器施加到至少 一电性传导构件以形成复数个电路组件,该至少一 电性传导构件沿一路径连续地往下移动,各该等电 路组件具有一第一传导部、一第二传导部及一位 于该第一与第二传导部之间的传导间隙,该转发器 排列为固接至该第一及第二传导部而在其间桥接 该传导间隙,包含: 一测量站,其在该至少一电性传导构件沿该路径往 下移动之同时决定出该等复数个电路组件的一者 中之该传导间隙的部位; 一配置站,其以来自该测量站之该间隙的经决定部 位为基础在该至少一电性传导构件沿该路径往下 移动之同时将一各别的转发器配置为与该传导间 隙相邻,该配置站适可横越该传导间隙将各个各别 的转发器的各别部分电性耦合至各别的该等第一 及第二传导部以固接该各别的转发器。 20.如申请专利范围第19项之结合机,其中该路径包 含一高速列印线之一部分。 图式简单说明: 第1图显示根据本发明的较佳实施例之一时间顺序 期间之晶片部位的一表格; 第2图显示根据较佳实施例之一直接切割装置的一 结构代表物; 第3图显示根据本发明的较佳实施例之一晶片配置 途径; 第4图显示根据本发明的较佳实施例之一时间顺序 期间之晶片部位的一表格; 第5图显示根据较佳实施例之一结合机; 第6图显示根据本发明的较佳实施例之一时间顺序 期间之晶片部位的一表格; 第7图显示根据较佳实施例之配置及切割途径的一 结构代表物; 第8图显示根据较佳实施例之一时间顺序期间之晶 片部位的一表格; 第9图显示本发明的较佳实施例之直接切割途径的 一结构代表物。 |
