制造具有变更窄宽度元件性能之反晕区的MOSFET电晶体之方法METHOD OF FABRICATING A MOSFET TRANSISTOR HAVING AN ANTI-HALO FOR MODIFYING NARROW WIDTH DEVICE PERFORMANCE

摘要

一种方法，包含：形成包含在基底之主动区域上之闸极电极的电晶体结构，由沟槽隔离结构界定该主动区域，以及藉由导入掺杂物到在由该沟槽隔离结构及该闸极电极所界定之介面旁的该主动区域中，以改变窄宽度电晶体相对于宽宽度电晶体之性能。一种结构，包含：形成在基底上的闸极电极、在由沟槽隔离结构及该闸极电极所界定之介面旁的主动区域、以及改变电晶体之性能的在该介面之布植物。