| 发明名称 | 使用第一最小值底部抗反射涂层组合物制备图像的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种在衬底上形成图像的方法，其包括以下步骤：(a)在衬底上涂覆第一层辐射敏感性抗反射组合物；(b)将第二层光刻胶组合物涂覆到第一层抗反射组合物上；(c)选择性地将得自步骤(b)的涂覆衬底在光化辐射下曝光；和(d)将得自步骤(c)的经曝光的涂覆衬底显影以形成图像；其中，将光刻胶组合物和抗反射组合物都在步骤(c)中曝光；使用单一的显影剂在步骤(d)中将两者都显影；其中步骤(a)的抗反射组合物是第一最小值底部抗反射涂层(B.A.R.C.)组合物，具有的固含量最高至约8％固体分，并且涂覆衬底的最大涂层厚度为[λ/2n]，其中λ为步骤(c)中光化辐射的波长，且n为B.A.R.C.组合物的折射率。 | ||
| 申请公布号 | CN100342283C | 申请公布日期 | 2007.10.10 |
| 申请号 | CN03802091.2 | 申请日期 | 2003.01.03 |
| 申请人 | AZ电子材料日本株式会社 | 发明人 | M·O·尼瑟尔;J·E·奥伯兰德;M·A·图卡伊;R·萨卡穆里;李丁术季 |
| 分类号 | G03F7/09(2006.01);G03F7/095(2006.01) | 主分类号 | G03F7/09(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 刘明海 |
| 主权项 | 1.一种在衬底上形成图像的方法，其包括以下步骤：(a)在衬底上涂覆第一层辐射敏感性抗反射组合物；(b)将第二层光刻胶组合物涂覆到第一层抗反射组合物上；(c)选择性地将由步骤(b)得到的涂覆衬底在光化辐射下曝光；(d)将由步骤(c)得到的经曝光的涂覆衬底显影以形成图像；其中，将光刻胶组合物和抗反射组合物都在步骤(c)中进行曝光；使用单一的显影剂在步骤(d)中将两者都进行显影；其中步骤(a)的抗反射组合物是第一最小值底部抗反射涂层组合物，具有的固含量最高至8％固体分，并且涂覆衬底的最大涂层厚度为λ/2n，其中λ为步骤(c)中光化辐射的波长，且n为底部抗反射涂层组合物的折射率。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||