| 发明名称 | 用于检测和/或测量环境中所含电荷浓度的传感器，对应的用途及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于检测和/或测量环境中所含电荷的浓度的传感器。该传感器包括场效应晶体管结构，场效应晶体管结构包括形成栅极并悬在有源层(10)上方的桥(4)，有源层(10)位于漏极(6)与源极(7)之间。向桥施加具有特定值的栅极电压。在桥(4)与有源层(10)或沉积在所述有源层上的绝缘层(8)之间含有所谓的气隙区域(9)，气隙区域具有特定的高度。在气隙中创建被定义为栅极电压与气隙高度之比的电场(E)。本发明的特征在于，气隙中所产生的电场具有不小于特定阈值(50000V/cm，100000V/cm，优选地为200000V/cm)的值，其对于电场(E)非常重要，以便影响环境中所含的以及气隙中存在的电荷的分布，并且能够通过在有源层上积累电荷而获得高灵敏度的传感器。 | ||
| 申请公布号 | CN101048656A | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN200580029737.5 | 申请日期 | 2005.07.07 |
| 申请人 | 雷恩第一大学 | 发明人 | 塔耶伯·默哈迈德－布拉希姆;安妮－克莱尔·萨朗;弗朗斯·勒彼翰;希柴姆·科特伯;法瑞达·班德瑞尔;奥利弗·邦纳德 |
| 分类号 | G01N27/414(2006.01) | 主分类号 | G01N27/414(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 张浩 |
| 主权项 | 1.一种用于检测和/或测量环境中所含电荷的浓度的传感器，所述传感器包括场效应晶体管结构，场效应晶体管结构包括形成栅极并悬在有源层(10)上方的桥(4)，有源层(10)位于漏极(6)与源极(7)区域之间，向桥施加具有特定值的栅极电压，在桥(4)与有源层(10)或沉积在所述有源层上的绝缘层(8)之间含有所谓的气隙区域(9)，气隙区域具有特定的高度，在气隙中形成被定义为栅极电压与气隙高度之比的电场E，其特征在于，气隙中所创建的电场具有大于或等于特定阈值的值，其对于电场E足够大，以便影响环境中所含的以及气隙中存在的电荷的分布，并且能够通过在有源层上积累电荷而获得高的传感器灵敏度。 | ||
| 地址 | 法国雷恩 | ||