发明名称 |
抗蚀图形形成方法、使用该法的微细图形形成方法 |
摘要 |
本发明提供一种抗蚀图形的形成方法,其特征在于,具有下述工序:(A)在基体(10)上形成光致抗蚀剂被膜的工序、(B)经过含有选择性曝光的光刻工序而使上述光致抗蚀剂被膜图形化为具有厚壁部(r1)和薄壁部(r2)的图形形状的工序、以及(C)在进行上述图形形成之后进行UV固化处理而形成具有厚壁部(r1)和薄壁部(r2)的台阶形抗蚀图形(R)的工序。 |
申请公布号 |
CN100340925C |
申请公布日期 |
2007.10.03 |
申请号 |
CN200410100312.6 |
申请日期 |
2004.12.09 |
申请人 |
东京应化工业株式会社 |
发明人 |
森尾公隆 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01);H01L21/00(2006.01);G02F1/133(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
1、一种抗蚀图形的形成方法,其特征在于,具有:(A)在基体上形成光致抗蚀剂被膜的工序、(B)经过含有选择性曝光的光刻工序而使上述光致抗蚀剂被膜图形化为具有厚壁部和薄壁部的图形形状、形成因区域不同而厚度不同的形状的抗蚀图形的工序、以及(C)在进行上述图形化之后、在所述图形化后的抗蚀图形的整个面上进行UV固化处理而形成具有厚壁部和薄壁部的台阶形抗蚀图形的工序。 |
地址 |
日本神奈川县 |