| 发明名称 |
金氧半导体电晶体及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明之MOS电晶体(1)包含一闸电极(10)、一通道区域(4)、一汲极接触区域(6)及一使该通道区域(4)与该汲极接触区域(6)相互连接之汲极延伸区域(7)。MOS电晶体(1)进一步包含一在汲极延伸区域(7)上延伸之屏蔽层(11)，其中在屏蔽层(11)与汲极延伸区域(7)之间的距离在自闸电极(10)朝向汲极接触区域(6)之方向上增加。以此方式，MOS电晶体(1)之横向击穿电压可增加至一位准，在该位准，对于一高于用于基地台应用中之供电电压的供电电压，MOS电晶体(1)可满足广播应用之强度要求。 |
| 申请公布号 |
TW200735361 |
申请公布日期 |
2007.09.16 |
| 申请号 |
TW095146318 |
申请日期 |
2006.12.11 |
| 申请人 |
皇家飞利浦电子股份有限公司 |
发明人 |
史蒂芬 乔 西西里 亨利 透文;HENRI;乔汉尼斯 艾德尼斯 玛利雅 狄波特;ADRIANUS MARIA;乔汉尼斯 杰坚 尤斯比斯 克莱普;EUSEBIUS |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
荷兰 |
