一类压电单晶体及其生长方法

摘要

本发明涉及一类新型压电单晶体及其坩埚下降生长方法。其特征在于：通过同族元素替代形成了的压电晶体，通式为Sr_3－xMe_xNbGa₃Si₂O₁₄，其中Me为Ca或Ba，x＝0.1－2.9；优先0.1≤x≤1.5，所述的生长方法是按Sr_3－xMe_xNbGa₃Si₂O₁₄化学计量比配料，均匀混合，在1150～1170℃预烧8～12小时，通过固相反应，合成多晶原料；将合成料装入底部事先放入籽晶的坩埚中，然后将坩埚置于下降法生长炉中，在1450～1480℃温度范围熔化原料及籽晶顶部，生长界面温梯维持在20～40℃/cm，坩埚下降速度小于3mm/h。可根据需要生长不同方向、形状和尺寸的压电单晶，具有工艺设备简单，操作方便，一炉多产等优点，适合于工业规模化晶体的生长或生产。

主权项

1、一类压电晶体，其特征在于所述的压电单晶体是通过同族元素替代，方法形成的，其通式为Sr3-xMexNbGa3Si2O14，0.1≤x≤2.9，Me为Sr的同族元素Ca或Ba。